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    50n06參數中文 KIA50N06 50A60V 中文資料-KIA MOS管

    信息來源:本站 日期:2020-09-27 

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    50n06參數中文 KIA50N06 50A60內阻低 免費送樣-KIA MOS管


    一、KIA50N06參數中文

    產品特征:

    RDS(on) =10.5m@ VGS =10V

    提供無鉛綠色設備

    低Rds開啟,最大限度地減少導電損

    高雪崩電流




    二、50n06參數中文

    產品用應:

    電源

    不間斷電源

    電池管理系統



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    Mosfet參數含義說明-50n06參數中文

    Vds:DS擊穿電壓.當Vgs=0V時,MOS的DS所能承受的最大電壓

    Rds(on):DS的導通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻

    Id:最大DS電流.會隨溫度的升高而降低

    Vgs:最大GS電壓.一般為:-20V~+20V

    Idm:最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關系

    Pd:最大耗散功率

    Tj:最大工作結溫,通常為150度和175度

    Tstg:最大存儲溫度

    Iar:雪崩電流

    Ear:重復雪崩擊穿能量

    Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量

    BVdss:DS擊穿電壓

    Idss:飽和DS電流,uA級的電流

    Igss:GS驅動電流,nA級的電流.

    gfs:跨導
    Qg:G總充電電量

    Qgs:GS充電電量

    Qgd:GD充電電量

    Td(on):通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間

    Tr:上升時間,輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間

    Td(off):關斷延遲時間,輸入電壓下降到90%開始到VDS上升到其關斷電壓時10%的時間

    Tf:下降時間,輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時間。

    Ciss:輸入電容,Ciss=Cgd+Cgs.

    Coss:輸出電容,Coss=Cds+Cgd.

    Crss:反向傳輸電容,Crss=Cgc.


    聯系方式:鄒先生

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