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    mos管參數大全,mos管功率各種參數大全

    信息來源:本站 日期:2017-04-28 

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    mos管功率各種參數大全





    mos管基本參數

    向傳輸電容 Crss = CGD .


    Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD .

    Ciss:輸入電容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).

    Tf :下降時刻.輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時刻.

    Td(off) :關斷延遲時刻.輸入電壓下降到 90%開端到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時刻.

    Tr :上升時刻.輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時刻.

    Td(on):導通延遲時刻.從有輸入電壓上升到 10% 開端到 VDS 下降到其幅值90%的時刻.

    Qgd :柵漏充電(考慮到 Miller效應)電量.

    Qgs:柵源充電電量.

    Qg :柵極總充電電量.

    MOSFET是電壓型驅動器材,驅動的進程即是柵極電壓的建立進程,這是經過對柵源及柵漏之間的電容充電來完成的,下面將有此方面的詳細論述.

    gfs:跨導.是指漏極輸出電流的改變量與柵源電壓改變量之比,是柵源電壓對漏極電流操控才能巨細的測量. gfs 與 VGS 的轉移聯系圖如下圖所示.

    動態參數

    IGSS :柵源驅動電流或反向電流.由于 MOSFET 輸入阻抗很大,IGSS 通常在納安級.

    IDSS :飽滿漏源電流,柵極電壓 VGS=0 、

    VDS 為必定值時的漏源電流.通常在微安級.

    VGS(th) :敞開電壓(閥值電壓).當外加柵極操控電壓 VGS超越VGS(th)

    時,漏區和源區的外表反型層形成了銜接的溝道.應用中,常將漏極短接前提下 ID即是毫安時的柵極電壓稱為敞開電壓.此參數通常會隨結溫度的上升而有所下降.

    RDS(on) :在特定的 VGS (通常為 10V)、結溫及漏極電流的前提下, MOSFET 導通時漏源間的最大阻抗.它是一個非常重要的參數,決定了MOSFET導通時的消耗功率.此參數通常會隨結溫度的上升而有所增大(正溫度特性). 故應以此參數在最高作業結溫前提下的值作為損耗及壓降計算.

    △V(BR)DSS/ △

    Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數,通常為0.1V/ ℃.

    V(BR)DSS :漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VGS 為 0

    時,場效應管正常作業所能接受的最大漏源電壓.這是一項極限參數,加在場效應管上的作業電壓必需小于V(BR)DSS .它具有正溫度特性.故應以此參數在低溫前提下的值作為安全考慮. 加負壓非常好。

    靜態參數

    TSTG :存儲溫度范圍.

    Tj:最大作業結溫.通常為 150 ℃或 175 ℃ ,器材規劃的作業前提下須確應防止超越這個溫度,并留有必定裕量. (此參數靠不?。?

    VGS:最大柵源電壓.,通常為:-20V~+20V

    PD:最大耗散功率.是指場效應管機能不變壞時所容許的最大漏源耗散功率.使用時,場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有必定余量.此參數通常會隨結溫度的上升而有所減額.(此參數靠不?。?

    IDM:最大脈沖漏源電流.表現一個抗沖擊才能,跟脈沖時刻也有聯系,此參數會隨結溫度的上升而有所減額.

    ID:最大漏源電流.是指場效應管正常作業時,漏源間所容許經過的最大電流.場效應管的作業電流不應超越 ID .此參數會隨結溫度的上升而有所減額.

    極限參數

    ards---漏源電阻溫度系數

    aID---漏極電流溫度系數

    Vn---噪聲電壓

    η---漏極效率(射頻功率管)

    Zo---驅動源內阻

    VGu---柵襯底電壓(直流)

    VDu---漏襯底電壓(直流)

    Vsu---源襯底電壓(直流)

    VGD---柵漏電壓(直流)

    VDS(sat)---漏源飽滿電壓

    VDS(on)---漏源通態電壓

    V(BR)GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓

    Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數)

    VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數)

    VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數)

    VGSR---反向柵源電壓(直流)

    VGSF--正向柵源電壓(直流)

    Tstg---貯成溫度

    Tc---管殼溫度

    Ta---環境溫度

    Tjm---最大容許結溫

    Tj---結溫

    PPK---脈沖功率峰值(外電路參數)

    POUT---輸出功率

    PIN--輸入功率

    PDM---漏極最大容許耗散功率

    PD---漏極耗散功率

    R(th)ja---結環熱阻

    R(th)jc---結殼熱阻

    RL---負載電阻(外電路參數)

    Rg---柵極外接電阻(外電路參數)

    rGS---柵源電阻

    rGD---柵漏電阻

    rDS(of)---漏源斷態電阻

    rDS(on)---漏源通態電阻

    rDS---漏源電阻

    Ls---源極電感

    LD---漏極電感

    L---負載電感(外電路參數)

    Ku---傳輸系數

    K---失調電壓溫度系數

    gds---漏源電導

    ggd---柵漏電導

    GPD---共漏極中和高頻功率增益

    GpG---共柵極中和高頻功率增益

    Gps---共源極中和高頻功率增益

    Gp---功率增益

    gfs---正向跨導

    Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數)

    Iu---襯底電流

    IDSS2---對管第二管漏源飽滿電流

    IDSS1---對管第一管漏源飽滿電流

    IGSS---漏極短路時截止柵電流

    IF---二極管正向電流

    IGP---柵極峰值電流

    IGM---柵極脈沖電流

    IGSO---漏極開路時,截止柵電流

    IGDO---源極開路時,截止柵電流

    IGR---反向柵電流

    IGF---正向柵電流

    IG---柵極電流(直流)

    IDS(sat)---溝道飽滿電流(漏源飽滿電流)

    IDSS---柵-源短路時,漏極電流

    IDSM---最大漏源電流

    IDS---漏源電流

    IDQ---靜態漏極電流(射頻功率管)

    ID(on)---通態漏極電流

    dv/dt---電壓上升率(外電路參數)

    di/dt---電流上升率(外電路參數)

    Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量

    Ear:重復雪崩擊穿能量

    Iar: 雪崩電流

    一些別的的參數

    Ton:正導游通時刻.(根本能夠忽略不計).

    Qrr :反向恢復充電電量.

    Trr :反向恢復時刻.

    VSD :正導游通壓降.

    ISM:脈沖最大續流電流(從源極).

    IS :接連最大續流電流(從源極).

    體內二極管參數

    結點到鄰近環境的熱阻,含義同上.

    外殼到散熱器的熱阻,含義同上.

    結點到外殼的熱阻.它標明當耗散一個給定的功率時,結溫與外殼溫度之間的差值巨細.公式表達⊿ t = PD* ?.

    熱阻

    EAR:重復雪崩擊穿能量.

    IAR :雪崩電流.

    EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個極限參數,闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.

    雪崩擊穿特性參數:這些參數是 MOSFET 在關斷狀態能接受過壓才能的目標.假設電壓超越漏源極限電壓將致使器材處在雪崩狀態.


    聯系方式:鄒先生

    手機:18123972950

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